Главная »  Каталог продукции »  Транзисторы »  Транзисторы высокочастотные полевые »  EPA160A-100P

EPA160A-100P

"Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; DC-18GHz; P100;( P1dB=31 dBm, G1dB=11,5 dB, Idss=290...660 mA; PAE=41% @ 12GHz)"

Цена с НДС, грн. Кол-во
  • 1:
  • 2,260.99
  • 10:
  • 2,055.51
  • 100:
  • 1,903.35
  • 1000:
  • по запросу
  • Мин.:
  • 1
  • Кратн.:
  • 1
  • Склад:
  • 0
  • Заказ:
  • 0
  • Характеристики
  • Артикул:
  • 10236

Похожие товары:

  • MGF4941AL-01

    Транз. Пол. СВЧ GaAs корпус GD2 super-low noise HEMT Nf=0.35 dB, Gs=13,5 dB@12GHz

  • LP750SOT89

    "Транз. Пол. СВЧ GaAs PHEMT; DC-6GHz; SOT89; @(2.0 GHz, 5V, 50%Idss): P-1dB=24.0 dBm, G-1dB=16.0 dB, IP3=40.0 dBm, Nf=0.7 dB; Idss=180..265 mA; PAE="

  • FLK057WG

    "Транз. Пол. СВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 120 mA): P-1dB=27.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=200..300 mA; PAE=32%"

  • SLD-1083CZ

    СВЧ LDMOS тразистор 300-2200 MHZ, 3 W, 19 dB, керамич. корпус 5,08х4,06х2,28 мм